（原标题：2023年碳化硅“飞驰”：扩产与出海加速，本领生态待完善）

21世纪经济报谈记者骆轶琪 广州报谈

不同于发展相对熟悉、有明确周期特征的硅芯片，被称为“第三代半导体”之一的碳化硅（SiC）芯片市集正处在发展前期，因此即便2023年是半导体行业下行周期，围绕该领域的关系公司都有昭彰居品放量和本领竞速的暴露。

例如来说，碳化硅衬底主要供应商天岳先进在（688234.SH）2023年产量结尾大幅提高，年内碳化硅衬底坐褥量为26.2万片，销售量22.6万片；而在2022年坐褥量为7.1万片，销售量6.4万片；2021年坐褥量6.7万片，销售量5.7万片。可见市集的高景气度。

这背后是越来越多国产碳化硅供应商与国际碳化硅器件厂商缔结合约，并在市集份额层面站稳脚跟。新能源汽车和光伏两大市集需求也强势复古该领域奔走前行。

除了基于发展也曾相对熟悉的6英寸本领工艺，在人人巨头带动下，面向8英寸本领的竞争也在不竭。

TrendForce集邦究诘分析师龚瑞骄对21世纪经济报谈记者暗示，当今国内在8英寸碳化硅方面合座仍处于研发考据阶段，其中衬底材料进展较快已有小批量供货，有望在2～3年内步入量产；器件方面，芯联集成等熟悉且具领域的晶圆厂也已运转布局8英寸，但这对开垦、材料和工艺本领的整合条件极高，仍需无数时间来考据、造成生态。

投产加速 

在碳化硅产业链中，天岳先进由于旗下业务均来自碳化硅衬底供应，其事迹更具备代表性。不外刻下产业链公司正处在积极扩产阶段，由此将对关系公司利润等财务暴露带来一定影响。

2023财年，天岳先进结尾买卖总收入12.51亿元，同比增多199.90%；归母净利润为吃亏4,572.05万元，归母扣非净利润为吃亏1.13亿元，吃亏同比收窄。

公司方面暗示，成绩于导电型居品产能产量抓续擢升，居品委用能力增强、毛利率飞腾，已王人集七季度保抓营收增长，在2023年第三、第四季度也曾结尾单季盈利。

回顾历史，2021年天岳先进本已结尾盈利，但在2022年出现吃亏。公司公告讲授，以前是因为进行了产能调整，冷静加大导电型衬底产能产量，因此导致临时性产能产量下落，影响到居品收入和毛利率暴露。

当今碳化硅居品主要包括导电型和半绝缘型两种类型，分袂在于，通过导电型碳化硅衬底，不错制成碳化硅同质外延片，被进一步制成的功率器件多用于新能源汽车、大功率输变电等领域；半绝缘型碳化硅衬底上制得的多是异质外延片，而后被制成的器件多用在通讯领域。比较之下，导电型居品的应用市集更为广袤。

天岳先进方面称，2023年加速了上海临港工场投产程度，原方向临港工场2026年30万片导电型衬底的产能臆测打算提前结尾，将不竭激动第二阶段产能擢升臆测打算。在电动汽车、光伏新能源、储能、充电桩等结尾需求带动下，产业发展进入计谋机遇期。

笔据日本巨擘调研机构富士经济叙述测算，2023年人人导电型碳化硅衬底材料市集占有率前三的公司有1家来自中国，天岳先进向上高意(Coherent)跃居人人第二。

其他产业链厂商多为同期部署了硅基和碳化硅基功率半导体关系居品，其中在2023财年，碳化硅关系细分业务先后结尾领域量产或商用成为主要趋势。

士兰微（600460.SH）财报显现，2023年公司主买卖务收入同比飞腾12.28%，主要系公司IPM（智能功率）模块、IGBT器件、PIM模块、快复原管、SiC器件、32位MCU等居品的买卖收入增长较快。

年内公司加速激动“士兰明镓SiC功率器件芯片坐褥线”名堂配置。律例当今，士兰明镓已造成月产6000片6吋SiC MOS芯片的坐褥能力，预测2024年底将造成月产12000片6吋SiC MOS芯片的坐褥能力。

公告指出，基于公司自主研发的II代SiC-MOSFET芯片坐褥的电动汽车主电机驱动模块已通过部分客户测试，在2024年一季度运转结尾批量坐褥和委用，预测全年应用于汽车主驱的碳化硅PIM模块销售额将达10亿元东谈主民币。

芯联集成（688469.SH）公告显现，公司从2021年起干涉SiC MOSFET芯片、模组封装本领的研发和产能配置。当今用于车载主驱逆变器的SiC MOSFET器件和模块于2023年结尾量产，律例2023年12月，公司6英寸SiC MOSFET产线已结尾月产出5000片以上，2024年公司还将方向建成国内首条8英寸SiC MOSFET试验线。

祥瑞证券指出，跟着SiC头部厂商纷纷聘请扩产，以及坐褥工艺、历程抓续优化改善，刻下SiC价钱运转抓续下探，在量增+价降的双重驱动下，SiC上车速率昭彰加速。

应用拓展

由于碳化硅本人具有耐高温、耐高压、高热导率等原生上风，其正越来越多被应用到新能源汽车上。尤其刻下，800V快充平台正成为一种主流贬责决议；此外，受绿色低碳发展趋势所激动，碳化硅在光伏领域应用也在扩大。

刻下碳化硅应用靠近的其中一大挑战在于老本，此前特斯拉晓谕将大幅减少碳化硅用量就被以为有这层考量。但有业内东谈主士向21世纪经济报谈记者分析，刻下处在产业发展初期，其单价简直偏高。但不可从单个元器件角度看碳化硅的应用，而是其将为整车带来系统老本的权贵下落，包括续航增多、电板诓骗率提高档。

祥瑞证券也以为，尽管刻下SiC-MOSFET老本约为Si-IGBT的3倍，然而笔据英飞凌测算，SiC-MOSFET不错减少6%～10%电力损耗，电板老本通俗将向上SiC器件增多的老本，最高不错通俗6%的笼统系统老本。同期，SiC上风在800V平台中将进一步放大，以小鹏G9为例，其800V高压SiC平台相较400V平台续航擢升5%，可结尾充电5分钟续航向上200Km。

这侧面讲授了2023年有诸多整车厂在加速接受碳化硅器件，以致国内供应商也与国际厂商开启多种合营。

天岳先进财报显现，公司先后与英飞凌、博世缔结了永恒供应契约；此外，人人前十大功率半导体企业向上50%都是公司客户。公司向英飞凌提供6英寸导电型衬底和晶棒，占英飞凌需求的两位数水平，同期公司还将助力英飞凌向8英寸居品转型。

斯达半导公告指出，2023年，公司国际新能源汽车市集获得进击进展，新增多个IGBT/SiC MOSFET主电机按捺器名堂定点，国际新能源汽车市集呈现快速增长趋势。

光伏领域亦然进击应用市集。祥瑞证券指出，降本增效成为SiC功率器件在光伏领域的主要驱能源。在光伏发电应用中，使用SiC材料可将养息后果可从96%擢升至99%以上，能量损耗缩短50%以上，开垦轮回寿命擢升50倍。2021年人人光伏碳化硅功率器件市集领域为1.54亿好意思元，预测2027年将增多至4.23亿好意思元，2021年-2027年的复合增长率为18%。

在本领迭代方面，当今人人头部厂商也在积极竞速更大尺寸、更优良率的碳化硅居品供应。

产业间当先结尾8英寸碳化硅居品量产的是人人巨头Wolfspeed，而后英飞凌、意法半导体也在该领域快速发展。业界广宽以为，在6英寸方面，国内与国际之间的差距正在渐渐松开。固然，6英寸和8英寸碳化硅居品在较长时间内将并存发展。

天岳先进指出，公司已结尾8英寸导电型衬底、6英寸导电型衬底、6英寸半绝缘型衬底、4英寸半绝缘衬底等居品的批量供应，主要客户包括国表里电力电子器件、5G 通讯、汽车电子等领域客户。

祥瑞证券以为，从本领参数来看，刻下国产碳化硅晶圆厂在4英寸/6英寸碳化硅衬底质料上已到国际先进水平，但合座与国际厂商仍存在5-8年本领代差，主要差距为：良率低、老本高；衬底扩径相对逾期。

华泰证券则暗示，碳化硅行业有两大趋势：2024年衬底从国产应用到出海，国内头部衬底厂6英寸性能并列国际大厂，以价换量念念路明确，国产衬底在国际大厂中占比擢升；2024年或是8英寸元年，刻下8英寸残障等方面向6英寸看王人，良率、长晶时间、一致性等方面有待擢升，开垦厂也响应8英寸下订或提货节律昭彰加速，预测8英寸本年或将结尾从1到10冲突。